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Transistor
Transistor IGBT IRG7S313U 330V 40A TO-263 Potência
Transistor IGBT de alta eficiência para aplicações de chaveamento, oferecendo excelente desempenho em fontes de alimentação e equipamentos industriais.
✨ Destaques
• Modelo IRG7S313U
• IGBT Canal N
• 330V
• 40A
• Encapsulamento TO-263 / D²PAK
• Baixa perda de condução
• Alta velocidade de chaveamento
• Ideal para fontes chaveadasSKU: T7S313U -
Transistor
Transistor IGBT K75T60 600V 75A TO-247 — IKW75N60T
Destaques
⚡ 600V e 75A: transistor IGBT para circuitos de potência e chaveamento eletrônico.
🔧 Encapsulamento TO-247: componente de 3 terminais com diodo antiparalelo integrado.
🏭 Aplicações industriais: indicado para inversores, fontes chaveadas, nobreaks e conversores compatíveis.
SKU: TK75T60 -
Transistor
Transistor IRGB4630D – IGBT IRGB4630D – 600V 30A Transistor de Potência
IGBT IRGB4630D 600V 30A, transistor de potência ideal para inversores, soldas, fontes e aplicações industriais.
✨ Destaques
- Modelo IRGB4630D
- Tensão 600V
- Corrente 30A
- Tecnologia IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Alta eficiência e desempenho
- Ideal para inversores, solda e fontes chaveadas
- Encapsulamento TO-247
- Excelente dissipação térmica
SKU: TIRGB4630 -
Componentes, Transistor
Transistor MOSFET SMK0460 SMD – Canal N / 600V – TO252
– Tensão Drain-Source (BVDSS): 600 V
– Corrente Contínua Máxima de Dreno: 2 a 3 A
– Resistência R<sub>DS(on)</sub>: até 2,5 Ω
– Carga de Gate (Q<sub>g</sub>): 12 nC
– Capacitância Crss: 9,8 pF
– Encapsulamento: TO-252 (DPAK)
SKU: TSMK0460S -
Componentes, Transistor
Transistor P50N60 / 50N60 – MOSFET Canal N – 60V 50A – TO-220
– Modelo: P50N60 / 50N60
– Tipo: MOSFET N-Channel
– Tensão dreno-fonte (Vds): 60V
– Corrente de dreno contínua (Id): até 50A @ 25 °C
– Corrente de pico (pulso): até 200A
– RDS(on): ~0,018Ω (típico)
– Dissipação de potência: até 120W
SKU: TP50N60
