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Transistor
Transistor IGBT IRG7S313U 330V 40A TO-263 Potência
Transistor IGBT de alta eficiência para aplicações de chaveamento, oferecendo excelente desempenho em fontes de alimentação e equipamentos industriais.
✨ Destaques
• Modelo IRG7S313U
• IGBT Canal N
• 330V
• 40A
• Encapsulamento TO-263 / D²PAK
• Baixa perda de condução
• Alta velocidade de chaveamento
• Ideal para fontes chaveadasSKU: T7S313U -
Transistor
Transistor IRGB4630D – IGBT IRGB4630D – 600V 30A Transistor de Potência
IGBT IRGB4630D 600V 30A, transistor de potência ideal para inversores, soldas, fontes e aplicações industriais.
✨ Destaques
- Modelo IRGB4630D
- Tensão 600V
- Corrente 30A
- Tecnologia IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Alta eficiência e desempenho
- Ideal para inversores, solda e fontes chaveadas
- Encapsulamento TO-247
- Excelente dissipação térmica
SKU: TIRGB4630 -
Componentes, Transistor
Transistor MOSFET SMK0460 SMD – Canal N / 600V – TO252
– Tensão Drain-Source (BVDSS): 600 V
– Corrente Contínua Máxima de Dreno: 2 a 3 A
– Resistência R<sub>DS(on)</sub>: até 2,5 Ω
– Carga de Gate (Q<sub>g</sub>): 12 nC
– Capacitância Crss: 9,8 pF
– Encapsulamento: TO-252 (DPAK)
SKU: TSMK0460S -
Componentes, Transistor
Transistor P50N60 / 50N60 – MOSFET Canal N – 60V 50A – TO-220
– Modelo: P50N60 / 50N60
– Tipo: MOSFET N-Channel
– Tensão dreno-fonte (Vds): 60V
– Corrente de dreno contínua (Id): até 50A @ 25 °C
– Corrente de pico (pulso): até 200A
– RDS(on): ~0,018Ω (típico)
– Dissipação de potência: até 120W
SKU: TP50N60 -
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Transistor
Transístor TIP147T / TO220
✅ Tipo: Transistor Darlington PNP
✅ Encapsulamento: TO-220
✅ Tensão máxima coletor-emissor: 100V
✅ Corrente máxima de coletor: 10A
✅ Potência de dissipação: até 125W (com dissipador adequado)
✅ Aplicações: fontes, amplificadores, drivers e prototipagem eletrônicaSKU: TTIP147P
