Transístor TT030K065EQ – IGBT canal N

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Transistor IGBT TT030K065EQ — Visão Geral e Especificações Técnicas

O TT030K065EQ é um transistor IGBT de canal N, amplamente utilizado em aplicações de chaveamento e controle de potência. Combinando as vantagens de alta tensão suportada e baixa perda por condução, esse componente é ideal para circuitos que exigem eficiência energética, como fontes chaveadas, inversores e controladores de motores.
Esse modelo integra ainda um diodo antiparalelo, o que facilita seu uso em topologias de conversão de energia com comutação bidirecional.
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Principais Características Técnicas
Parâmetro
Tipo
Valor
IGBT canal N + diodo
antiparalelo
Tensão coletor-emissor máxima
(VCES)
Corrente contínua de coletor (IC)
Tensão de saturação típica
(VCE(sat))
Tensão máxima gate-emissor
(VGE)
Tensão limiar de gate (VGE(th))
Potência máxima dissipada (Pc)
Temperatura máxima de junção
(Tj)
Tempo de subida típico (tr)
650 V
30 A (a 25 °C)
~1,7 V
±20 V
~6 V
234 W
175 °C
~52 ns
Capacitância de saída típica (Cₒₑ) ~139 pF
Carga total de gate (Qg) típica
Encapsulamento (Package)
~66 nC
TO-247
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Aplicações Comuns
● Inversores de frequência
● Fontes chaveadas (SMPS)
● Controladores de motor trifásico
● Conversores DC-DC e DC-AC
● Equipamentos industriais de potência