Transístor GT 30J126 – 30A / 600V IGBT

Transistor IGBT GT30J126 – 600V 30A Canal N

O GT30J126 é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de canal N, ideal para aplicações que exigem alta eficiência e desempenho em circuitos de potência. Ele combina a baixa perda de condução dos transistores bipolares com a capacidade de comutação rápida dos MOSFETs, tornando-se a escolha perfeita para controle de motores, inversores e fontes chaveadas.

🔹 Especificações Técnicas:
✔ Tipo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
✔ Canal: N
✔ Tensão Máxima Coletor-Emissor (Vce): 600V
✔ Tensão Máxima Gate-Emissor (Vge): 20V
✔ Corrente Máxima do Coletor (Ic): 30A (@25℃)
✔ Tensão de Saturação Coletor-Emissor (VCEsat, típica): 1.95V
✔ Dissipação Máxima de Potência (Pc): 90W
✔ Temperatura Máxima de Junção (Tj): 150℃
✔ Carga Total do Gate (Qg, típica): 500nC

✅ Aplicações:
✔ Controle de motores elétricos
✔ Inversores de frequência
✔ Fontes chaveadas
✔ Equipamentos industriais de alta potência

⚠ Atenção: Antes da compra, verifique a compatibilidade do transistor com seu circuito.

💡 Alto desempenho e confiabilidade para aplicações de potência! Adquira já o seu! ⚡🔋