Transistor IGBT GT30G121 – 400V / 30A – TO-220
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– Tensão Coletor-Emissor: 400 V
– Corrente Coletor Contínua: 30 A
– Encapsulamento: TO-220FP
– Tipo de operação: Modo de enriquecimento
– Aplicações típicas: Fontes chaveadas, inversores, micro-ondas, UPS
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⚙️ Transistor IGBT GT30G121 – 400V / 30A – TO-220FP
O GT30G121 é um IGBT de potência (Insulated Gate Bipolar Transistor) projetado para aplicações de comutação rápida e controle eficiente de energia, especialmente em inversores, fontes chaveadas, micro-ondas industriais, fuentes de alimentação e outros sistemas de média potência.
Com tensão de até 400 V e corrente de 30 A, esse componente une a baixa perda de condução dos bipolares com a alta velocidade de comutação dos MOSFETs, tudo em um encapsulamento TO-220FP isolado, ideal para montagem térmica simples.
🔧 Especificações Técnicas:
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Tensão Coletor-Emissor (V<sub>CES</sub>): 400 V
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Corrente Coletor Contínua (I<sub>C</sub>): 30 A
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Encapsulamento: TO-220FP (isolado termicamente)
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Tipo de operação: Modo de enriquecimento (Enhancement-mode)
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Aplicações típicas: Fontes chaveadas, inversores, micro-ondas, UPS
Destaques:
✔️ Alta confiabilidade em comutação rápida
✔️ Ideal para fontes de alimentação industriais
✔️ Encapsulamento isolado facilita o projeto térmico
✔️ Ótima relação custo-benefício para reparo e reposição
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